文献类型：期刊文献

中文题名：太阳能材料CuInS_2的晶体结构、电子和光学特性(英文)

英文题名：Thecrystal structural,electronic and optical properties of a solar energy material:CuInS_2

作者：张向丹[1];乔庆鹏[2];余功奇[3];张宪周[4]

第一作者：张向丹

机构：[1]新乡学院物理系;[2]河南教育学院物理系;[3]第二炮兵指挥学院;[4]河南师范大学物理与信息工程学院

第一机构：新乡学院物理与电子工程学院

年份：2014

卷号：31

期号：3

起止页码：482-487

中文期刊名：原子与分子物理学报

外文期刊名：Journal of Atomic and Molecular Physics

收录：北大核心:【北大核心2011】；CSCD:【CSCD2013_2014】；

基金：国家自然科学基金10947162和11104072;新乡学院青年基金(12ZC10);河南省教育厅自然科学基金(2011A140005)

语种：中文

中文关键词：半导体化合物;电子带结构;光学特性

外文关键词：Semiconductor compound; Electronic structure; Optical properties

摘要：用全电势线性缀加平面波法加局域轨道方法调查了黄铜矿半导体CuInS2的结构、电子和光学特性.我们计算的带隙0.17eV是直接的,其它实验和理论也表明这种材料有一个直接带隙.在In 4d和S3p轨道之间有相当强的杂化,构成了(InS2)4-阴离子.我们计算的反射率光谱,介电函数的实部和虚部,消光系数和折射率和实验结果取得了很好的一致.
Full-Potential Linearized Augmented Plane Wave plus local orbital method （FPLAPW ＋lo） calculations were performed for the chalcopyrite semiconductor CuInS2 in order to investigate the structural, electronic and optical properties. Our calculated band gap of 0.17 eV is direct. Furthermore, other experiments and theory also shows that this material has a direct band gap. It is noted that there is quite strong hybridization between In 4d and S 3p orbitals, which belongs to the （InS2）4-. Our calculated imaginary parts and real parts of the dielectric function are in good agreement with the experimental results.