文献类型：期刊文献

中文题名：MOS-FET共源极放大器频率特性的分析

作者：朱利娜[1];付金山[2];尚游[2]

第一作者：朱利娜

机构：[1]平原大学;[2]新乡市师范

第一机构：新乡学院

年份：1999

卷号：0

期号：4

起止页码：76-77

中文期刊名：新乡学院学报

语种：中文

中文关键词：MOS-FET;特性分析

摘要：本文就MOS－FET的高频等效模型对MOS－FET共源极放大器的频率计算特性进行了系统分析，并与双极型晶体管放大器相比较，得出了几点重要结论：MOS管有很高的输入电阻．因此在相同的输人电容影响下，很高的输入电阻将影响其高频响应变差；MOS管用作放大时不能象双极管那样大的电压放大倍数；MOS冒产生的电噪声比双极型管要小，故适应于低噪声放大器的输入极。