文献类型：期刊文献

中文题名：稀土锰氧化物的Mn位掺杂效应

英文题名：Mn-site Doping Effects in Rare Earth Manganites

作者：姚恺[1];贾忠伟[2]

第一作者：姚恺

机构：[1]新乡师范高等专科学校物理系,河南新乡453000;[2]新乡广播电视大学,河南新乡453000

第一机构：新乡学院物理与电子工程学院

年份：2006

卷号：20

期号：5

起止页码：26-29

中文期刊名：新乡师范高等专科学校学报

外文期刊名：Journal of Xinxiang Teachers College

语种：中文

中文关键词：稀土锰氧化物;Mn位掺杂;输运特性;物理机制;微观机理;峰值电阻率;CMR效应

外文关键词：manganites; Mn-site doping; transport properties

摘要：Mn位掺杂是调整稀土锰氧化物中Mn^3＋-O^2--Mn^4＋网络的一种十分有效的方法，对理解稀土锰氧化物材料的物理机制和微观机理具有重要作用。在Ln1-xAxMnO3体系中，当x=0．3左右时，Mn位微量掺杂即可破坏原有的长程铁磁有序与金属性共存，而产生团簇玻璃型（短程）铁磁有序行为；多数情况下，TP降低，对应的峰值电阻率ρp急剧升高，居里温度Tc降低，CMR效应增强。当x=0．5时，通过在Mn位掺杂可以使反铁磁绝缘母体产生铁磁金属性行为；电阻率急剧降低，出现CMR效应。
An interesting way to modify the crucial Mn^3＋ - O^2- - Mn^4＋ network is to dope at the Mn site. For Ln1-xA, MnO3 （x - 0.3） , the doping of even a small amount of transition metal ions at Mn site tends to destroy the long -range FM order and leads to the cluster-glass type. It was found that all these doping reduce the ferromagnetic （FM） transition temperature Tc and the metal-insulator transition temperature Tp. The resistivity of the peak temperature Tp and the CMR effect increase. For x =0.5, the doping at the Mn-site leads to the FM metallic state at the expense of the AFM insulated state. The resistivity decreases rapidly and the CMR effect was induced.