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Zn掺杂Ni-MOF自支撑复合电极及其制备方法和应用
文献类型:专利
中文题名:Zn掺杂Ni-MOF自支撑复合电极及其制备方法和应用
作者:杨杰[1];陈改荣[1];马志华[1];王刘杰[1];张晨阳[1];姚文惠[1];
第一作者:杨杰
机构:[1]新乡学院;
第一机构:新乡学院
专利类型:发明专利
申请号:CN201810719179.4
申请日:20180702
申请人地址:453000 河南省新乡市金穗大道东段
公开日:20200626
代理人:冯谱
代理机构:11370 北京汉昊知识产权代理事务所(普通合伙)
语种:中文
中文关键词:自支撑;复合电极;电极;制备方法和应用;三相复合结构;超级电容器;气相沉积法;储能特性;气相沉积;溶剂热法;溶剂热;最大比;赝电容;制备;研究
摘要:本发明公开了Zn掺杂Ni?MOF自支撑复合电极及其制备方法和应用。采用气相沉积和溶剂热法制备得到NF/GF/Zn?doped Ni?MOF自支撑复合电极。本发明通过气相沉积法和溶剂热法得到NF/GF/Zn?doped Ni?MOF自支撑复合电极。本发明首次制备得到这种三相复合结构的自支撑电极,并研究了它在超级电容器性能。发明结果表明,该电极具有较高的赝电容储能特性,在0.5Ag?1电流密度下的最大比容量可以达到2552Fg?1。
参考文献:
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