文献类型：期刊文献

中文题名：脉冲退火法制备多晶硅薄膜的研究

英文题名：Investigation on Poly-Si Thin Film Fabricated by PRTP

作者：张松青[1];张丽伟[2];赵新蕖[1];卢景霄[3]

第一作者：张松青

通讯作者：Zhang, S.-Q.

机构：[1]河南机电高等专科学校,新乡453002;[2]新乡学院,新乡453000;[3]郑州大学材料物理教育部重点实验室,郑州450052

第一机构：河南机电高等专科学校,新乡453002

通讯机构：[1]Henan Mechanical and Electrical Engineering College, Xinxiang 453002, China

年份：2008

卷号：37

期号：2

起止页码：285-288

中文期刊名：人工晶体学报

外文期刊名：Journal of Synthetic Crystals

收录：CSTPCD;;EI(收录号：20082411313087);Scopus(收录号：2-s2.0-44849101079);北大核心:【北大核心2004】；CSCD:【CSCD2011_2012】；

基金：河南省自然科学基础研究项目(No.2008C140001)

语种：中文

中文关键词：Si薄膜;脉冲快速光热退火;拉曼光谱;扫描电子显微镜

外文关键词：μc-Si： H films; PRTP; Raman ; SEM

摘要：用射频等离子体化学气相沉积(RF-PECVD)法在普通玻璃衬底上低温制备了μc-Si:H薄膜。采用快速光热退火炉(RTP),分别用低温(<650℃)和中温(<750℃)脉冲法(PRTP)对薄膜进行了退火处理。用拉曼光谱和扫描电子显微镜(SEM)研究了不同条件下退火薄膜散射谱的特征和表面形貌。结果显示,脉冲退火法晶化的薄膜,晶化率达到了53%,部分颗粒团簇的尺寸已达到200nm左右。用声子限域理论和表面尺寸效应对薄膜频谱的"红移"和"蓝移"现象进行了分析。
μc-Si：H films were deposited on common glass substrate by radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition （ RF-PECVD）, then low temperature （ 〈 650℃） conventional rapid thermal processing and middle temperature （ 〈 750 ℃ ） pulsed rapid thermal processing had been used for the solid-phase crystallization （SPC） of μc-Si ： H films. The scattering spectrogram and surface morphology of films were investigated through Raman and SEM. The result showed that the film has better crystallinity, the crystallinity of the film is 53 % and the size of some cluster grains are about 200 nm. The red-shift and blue-shift phenomenon were analyzed using the surface effects and the phonon confinement theory.