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闪锌矿In_xGa_(1-x)N/GaN量子点的光学特性    

The optical properties of zinc-blende In_xGa_(1-x)N/GaN quantum dot

文献类型:期刊文献

中文题名:闪锌矿In_xGa_(1-x)N/GaN量子点的光学特性

英文题名:The optical properties of zinc-blende In_xGa_(1-x)N/GaN quantum dot

作者:吴花蕊[1];李在林[1]

第一作者:吴花蕊

机构:[1]新乡学院物理系

第一机构:新乡学院物理与电子工程学院

年份:2011

卷号:31

期号:2

起止页码:65-68

中文期刊名:云南师范大学学报:自然科学版

收录:CSTPCD

基金:河南省教育厅自然科学研究计划项目(2009B140006)

语种:中文

中文关键词:闪锌矿;InGaN/GaN量子点;振子强度;发光波长

外文关键词:zinc-blende(ZB); InGaN/GaN quantum dot; oscillator strength; emission wavelength

摘要:在有效质量近似下,通过变分方法研究了束缚于闪锌矿InGaN/GaN量子点中的激子态。详细研究了振子强度和发光波长随InGaN/GaN量子点结构参数和量子点内In含量的变化关系。数据结果表明:量子点结构参数和In含量对闪锌矿InGaN/GaN量子点的振子强度和发光波长有重要的影响;激子效应使量子点发光波长红移。
Within the framework of effective-mass approximation,exciton states confined in zinc-blende(ZB) InGaN/GaN quantum dot(QD) are investigated by means of a variational approach.The oscillator strength and emission wavelength are investigated as functions of QD structural parameters and In contend of InGaN/GaN in deatail.Numerical results show clearly that both the QD size and In content of InGaN/GaN have a significant influence on oscillator strength and emission wavelength in the ZB InGaN/GaN QD.The emission wavelength is increased due to the exciton effect.

参考文献:

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